前言

合封氮化鎵芯片一經(jīng)推出，強(qiáng)大的性能優(yōu)勢，很快就取代了傳統(tǒng)氮化鎵控制器+氮化鎵開關(guān)管的組合。合封氮化鎵芯片通過將控制器，驅(qū)動器和功率管集成在一個(gè)芯片內(nèi)部，降低了寄生參數(shù)在高頻下帶來的干擾，降低開關(guān)損耗，提高可靠性和開關(guān)速度。

合封氮化鎵芯片簡化了氮化鎵器件應(yīng)用時(shí)的外圍電路，減少了元件數(shù)量，在充電器上應(yīng)用越來越廣泛。反激合封氮化鎵芯片滿足了百瓦及以下PD快充對于氮化鎵的需求，但是對于百瓦以上的應(yīng)用需求，還是需要更高效率的電源方案。

東科推出DK8710Q AHB合封氮化鎵芯片

知名氮化鎵合封芯片，同步整流芯片原廠東科在推出了反激合封氮化鎵芯片之后，提前布局，推出了行業(yè)首款內(nèi)部集成兩顆氮化鎵功率管的AHB合封芯片，不對稱反激相比傳統(tǒng)反激，能夠?qū)⒙└心芰炕厥绽茫瑢?shí)現(xiàn)主開關(guān)管的ZVS，同步整流管的ZCS，降低開關(guān)損耗對效率的影響，從而提升轉(zhuǎn)換效率。

AHB架構(gòu)相比LLC架構(gòu)，有如下優(yōu)點(diǎn)。第一，AHB架構(gòu)的二次側(cè)為單功率器件拓?fù)洌梢杂行Ы档拖到y(tǒng)成本；第二，AHB架構(gòu)的二次側(cè)整流管電壓應(yīng)力遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)反激架構(gòu)，可以采用耐壓更低的MOS管作為整流管，極大的降低了系統(tǒng)成本和調(diào)試難度，尤其適用在PD快充等需要高輸出電壓的應(yīng)用場景。第三，AHB架構(gòu)中，變壓器和諧振電容共同儲能，變壓器體積可以有效減小。

東科 DK8710Q采用QFN8*8封裝，體積小巧且外圍元件精簡，散熱能力強(qiáng)。

東科 DK8710Q內(nèi)部集成了兩顆氮化鎵開關(guān)管組成半橋，通過控制增添的開關(guān)管，回收漏感能量，實(shí)現(xiàn)主開關(guān)管的ZVS和同步整流管的ZCS，提高轉(zhuǎn)換效率，并降低功率管的應(yīng)力，減小開關(guān)損耗的同時(shí)改善電磁干擾。

DK8710Q內(nèi)置高壓啟動和安規(guī)X2電容放電電路，待機(jī)功耗低于50mW，支持最高1MHz開關(guān)頻率，具備自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制，峰值轉(zhuǎn)換效率達(dá)95%。芯片內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路，在高低壓下最大輸出功率一致。

DK8710Q內(nèi)置輸出過壓保護(hù)、供電過壓，欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)、開環(huán)保護(hù)，輸出過流保護(hù)、輸出短路保護(hù)和輸出肖特基異常保護(hù)。芯片支持150W輸出功率，可滿足現(xiàn)階段USB PD3.1 充電器 140W輸出需求。適用于PD3.1快充以及筆記本電腦適配器，電視機(jī)電源，充電器等大功率應(yīng)用。

圖為DK8710Q典型應(yīng)用圖，為固定電壓輸出，輸出電壓通過光耦反饋調(diào)節(jié)。

東科 DK8710Q合封氮化鎵芯片采用QFN8*8封裝，芯片底部焊盤用于增強(qiáng)散熱。

與1元硬幣對比大小。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

東科新推出的這款A(yù)HB半橋氮化鎵芯片內(nèi)置兩個(gè)開關(guān)管，在合封氮化鎵芯片高集成度高可靠性的基礎(chǔ)上，將能量充分利用，降低損耗，進(jìn)一步提升充電器整體的轉(zhuǎn)換效率，降低溫升和散熱需求，讓充電器變得更加便攜。

同時(shí)DK8710Q的待機(jī)功耗低于50mW，能夠滿足嚴(yán)苛的能效要求，芯片支持寬范圍電壓輸出，極大簡化了大功率PD充電器設(shè)計(jì)。同時(shí)搭配PFC電路，輸出功率可以達(dá)到150W，能夠滿足現(xiàn)階段PD3.1快充，140W輸出功率的需求，是一款高集成，高可靠的解決方案。