東科 DK8712BD 合封 AHB 芯片

東科 DK8712BD 屬于 DK87XXBD 系列，采用 DFN8×8 封裝，推薦功率為 120W。

芯片內部集成不對稱半橋控制、半橋驅動以及兩顆氮化鎵功率管，相比傳統分立方案，可減少外圍器件數量，簡化電源設計與生產制造，有利于提升整機集成度和功率密度。

在性能方面，DK8712BD 支持最高 800kHz 開關頻率，待機功耗低于 50mW，并具備自適應死區時間控制。

其內部上下兩顆氮化鎵功率管導通電阻典型值均為 270mΩ，最大值為 350mΩ，可滿足百瓦級快充電源對效率、溫升和體積的設計需求。

DK8712BD 采用 AHB 不對稱半橋架構，能夠在較大負載范圍內實現原邊功率管 ZVS 零電壓開通，并支持副邊整流管 ZCS 零電流關斷。軟開關工作方式可降低開關損耗和功率器件應力，提高整機轉換效率，同時改善 EMI 表現。

此外，芯片內置高壓啟動、X 電容放電、諧振電容放電以及全程抖頻功能。其中 X 電容放電功能可在交流輸入斷開后快速釋放 X 電容電壓，減少傳統放電電阻帶來的待機損耗；全程抖頻則有助于分散 EMI 噪聲峰值，降低濾波設計壓力。

在保護方面，DK8712BD 集成過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC 過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護以及過溫保護等多重保護機制，可提升整機在異常工況下的安全性和可靠性。

充電頭網總結

東科 DK8712BD 將 AHB 控制、半橋驅動和雙氮化鎵功率管集成在單顆芯片中，具備外圍精簡、效率高、待機功耗低、EMI 表現友好等優勢。

對于 120W 級快充電源方案來說，該芯片有助于減少器件數量、縮小整機體積，并提升產品的開發效率和系統可靠性。

關于 AHB 控制器及內置氮化鎵芯片的選型趨勢，充電頭網此前也進行了詳細梳理。

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