2026 世界 AI 服務(wù)器電源大會(huì)于 5 月 22 日在深圳科興科學(xué)園圓滿落幕。本次大會(huì)由服務(wù)器電源網(wǎng)主辦，功率之心作為重要協(xié)辦單位全程參與組織籌備、企業(yè)邀約與產(chǎn)業(yè)對(duì)接工作，匯聚眾多頭部功率器件企業(yè)齊聚現(xiàn)場(chǎng)，圍繞 AI 服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心高壓架構(gòu)、第三代半導(dǎo)體應(yīng)用等熱點(diǎn)，共探行業(yè)技術(shù)趨勢(shì)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。
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作為功率器件領(lǐng)域?qū)I(yè)垂直平臺(tái)，功率之心充分發(fā)揮行業(yè)資源與產(chǎn)業(yè)聚合優(yōu)勢(shì)，精準(zhǔn)邀約業(yè)內(nèi)優(yōu)質(zhì)功率器件、寬禁帶半導(dǎo)體企業(yè)參會(huì)參展，為企業(yè)搭建技術(shù)交流、產(chǎn)品展示、商務(wù)對(duì)接的高效平臺(tái)，成為本次大會(huì)功率器件板塊集結(jié)的核心助力。
本次大會(huì)云集英飛凌、英諾賽科、基本半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、AOS 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體等一眾知名功率器件企業(yè)亮相現(xiàn)場(chǎng)，各家?guī)?lái)適配 AI 服務(wù)器電源場(chǎng)景的重磅器件與前沿技術(shù)方案。
英飛凌帶來(lái)從電網(wǎng)到芯片端全鏈路功率器件解決方案，覆蓋 AI 服務(wù)器高壓變換、高效整流、功率控制等全環(huán)節(jié)，以高性能器件助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能降碳與功率密度升級(jí)。
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英諾賽科聚焦氮化鎵 GaN 技術(shù)，推出 15V–1200V 全系列功率器件及模塊方案，800V 高壓 GaN 架構(gòu)完美適配 AI 數(shù)據(jù)中心 HVDC 供電，為高功率服務(wù)器電源提供高效輕量化選擇。
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基本半導(dǎo)體深耕碳化硅 SiC 領(lǐng)域，推出 650V~1700V 全系列 SiC MOSFET 器件，憑借低導(dǎo)通損耗、高可靠特性，廣泛應(yīng)用于 AI 服務(wù)器電源、UPS 及高壓直流供電場(chǎng)景。
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納微半導(dǎo)體以 GaN+SiC 雙技術(shù)路線為核心，高壓氮化鎵器件適配 800VDC 數(shù)據(jù)中心架構(gòu)，在提升電源效率、縮小整機(jī)體積方面優(yōu)勢(shì)突出。
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AOS 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體帶來(lái)全系列 MOSFET、SiC 器件及功率集成方案，針對(duì) AI 服務(wù)器大電流、高瞬態(tài)負(fù)載工況優(yōu)化，適配高端算力電源供電設(shè)計(jì)需求。
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此外，到場(chǎng)其他功率器件企業(yè)也集中展出 MOSFET、GaN、SiC、功率模塊等核心產(chǎn)品，覆蓋服務(wù)器電源從前端整流、中間變換到后端供電的全鏈路器件需求，吸引眾多整機(jī)廠商、研發(fā)工程師與采購(gòu)人士駐足交流、精準(zhǔn)對(duì)接。
本次大會(huì)的成功舉辦，充分彰顯了功率之心在功率器件行業(yè)的平臺(tái)價(jià)值與產(chǎn)業(yè)號(hào)召力。通過(guò)協(xié)辦本次行業(yè)盛會(huì)，有效打通功率器件原廠與 AI 服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心終端的產(chǎn)業(yè)鏈壁壘，加速第三代半導(dǎo)體在算力供電場(chǎng)景的落地應(yīng)用。
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