“GaN”中文名“氮化鎵”，是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、等多種優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。早期的氮化鎵材...