在高功率射頻前端（RFFE）設計領域，長期以來，我們一直選擇PIN二極管技術作為射頻開關的主要方案。這種技術在一定程度上是足夠的，因為頻段數...

前言 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙復合半導體材料，電壓耐受能力比傳統硅材料高很多，而且不會影響導通電阻性能，因此可以降低導通損耗。...

前言 泰高技術在四月推出了一款采用分立器件的PFC+LLC拓撲的210W氮化鎵電源模組方案，這電源模組方案已在知名線上媒體網站獲得上萬...

說起氮化鎵功率器件，主流的解決方式就是單管和合封，氮化鎵單管搭配專門優化的控制器，在反激架構的快充中得到了廣泛的應用。但在大功率的電源中，通...