誠邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際博覽中心參觀 2G18 展位

2023 年 8 月 04 日 

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)并大批量生產(chǎn)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 將首次參展 PCIM Asia，這是中國享譽行業(yè)的專業(yè)展會，專注于電力電子技術及其在智能移動、可再生能源和能源管理方面的應用。在活動期間，CGD 將在中國首推其第二個易用可靠的 ICeGaN? GaN HEMT 產(chǎn)品系列。此外，CGD 將在展臺中進行完整的產(chǎn)品演示，還將進行一場主題演講和兩場技術應用展示。

Cambridge GaN Devices 首席技術官 Florin Udrea 教授將于 8 月 29 日（星期二）上午 10:00 發(fā)表開幕主題演講，演講標題為：“新一代氮化鎵功率器件；突破易用性和可靠性的極限”。

8 月 29 日（星期二）上午 11:25，CGD 高級首席應用工程師 Martin Cheung 將發(fā)表“降低高性能充電器拓撲中的穩(wěn)態(tài)損耗”演講；8 月 30 日（星期三）上午 10:55，他還將發(fā)表“調(diào)整 GaN 的開關性能和改進并聯(lián)運行表現(xiàn)”演講。

Andrea Bricconi | CGD 首席商務官 “CGD 非常重視中國和亞洲市場，我們不斷擴大產(chǎn)品組合，并希望向全球市場推出創(chuàng)新、易用、堅固且可靠的新型?GaN 解決方案。PCIM Asia 將見證 CGD H2 系列 ICeGaN? HEMT 解決方案在中國的初次亮相。這是我們第一次參與這一亞洲領先的電力盛會，我們非常高興將與現(xiàn)有客戶和潛在新客戶深入交流，了解其應用需求，以便提供更能滿足其要求的解決方案。”

關于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD)專注于?GaN 晶體管和?IC 的設計、開發(fā)和商業(yè)化運作，能夠激發(fā)能源效率和高密度層面的根本性變革，確保產(chǎn)品適合投入大量生產(chǎn)。我們的使命是透過提供節(jié)能易于使用的?GaN 解決方案，將創(chuàng)新帶入日常生活。?CGD 的?ICeGaN? 技術已被證明適用于大批量生產(chǎn)，并且透過制造和客戶合作伙伴關系迅速擴大規(guī)模。?CGD是一家由英國劍橋大學衍生而立的無晶圓廠半導體公司，其創(chuàng)始人?CEO Giorgia Longobardi 博士和?CTO Florin Udrea 教授仍然與劍橋大學世界知名的高壓微電子和傳感器集團?(HVMS) 保持著密切聯(lián)系。?CGD致力于創(chuàng)新科技的發(fā)展，使得其?ICeGaN HEMT 技術受到強大且不斷增長的知識產(chǎn)權組合的保護。?CGD 團隊的技術和商業(yè)專長，加上在電力電子市場的廣泛業(yè)績，是市場接受其專有技術的基礎。

新聞稿連絡人：

Amanda Lin, Marketing Communication Manager, CGD  / 0953459875

Amanda.lin@camgandevices.com

1106, 11F, N.502, Sec 2, RenAi Rd, Linkou Dist, New Taipei City, Taiwan

Andrea Bricconi, Chief Commercial Officer, CGD | +49 1732410796

 andrea.bricconi@camgandevices.com

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