氮化鎵憑借高頻、高效、高功率和耐高壓等特性，被稱作是第三代半導(dǎo)體的明星材料。如今，隨著氮化鎵技術(shù)及供應(yīng)鏈方面的不斷成熟，成本呈現(xiàn)下降趨勢，氮化鎵在低功率消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸進(jìn)入紅海市場。同時，得益于高工作頻率、高轉(zhuǎn)化效率、低導(dǎo)通阻抗等優(yōu)越特性，氮化鎵在大功率高頻應(yīng)用中有著廣闊的應(yīng)用前景，目前正朝著中大功率儲能、微型逆變器、通訊基站、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域拓展。

為了推進(jìn)氮化鎵在高頻市場中的應(yīng)用，英諾賽科基于150V電壓平臺推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN，該平臺產(chǎn)品滿足工業(yè)級可靠性要求，主要應(yīng)用于太陽能系統(tǒng)優(yōu)化器和微型逆變器，PD充電器與PSU同步整流、通信電源、電機(jī)驅(qū)動和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

首款產(chǎn)品 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開關(guān)損耗低，具有良好的效率表現(xiàn)，目前已成功量產(chǎn)。基于150V電壓平臺技術(shù)，英諾賽科近日再次強(qiáng)勢推出 150V/7mΩ 器件 INN150FQ070A，采用  FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引腳設(shè)計，已通過小批量試產(chǎn)，客戶可基于不同應(yīng)用需求進(jìn)行規(guī)格選型。

INN150FQ032A & INN150FQ070A 產(chǎn)品特性

• l  工業(yè)級應(yīng)用
• l  超低的柵極電荷
• l  超低導(dǎo)通電阻
• l  小體積，F(xiàn)CQFN封裝 4mmx6mm

INN150FQ032A & INN150FQ070A 應(yīng)用領(lǐng)域

• l  高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
• l  太陽能系統(tǒng)優(yōu)化器和微型逆變器
• l  PD充電器和PSU同步整流
• l  通信電源
• l  電機(jī)驅(qū)動

INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 延續(xù)了 InnoGaN 導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快、無反向恢復(fù)等諸多特性，在太陽能系統(tǒng)優(yōu)化器和微型逆變器，PD充電器與PSU同步整流、通信電源、電機(jī)驅(qū)動和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中，更能充分地體現(xiàn)其高頻高效、低導(dǎo)阻等優(yōu)越特性。

INN150FQ032A規(guī)格書首頁

INN150FQ070A規(guī)格書首頁

英諾賽科150V Single GaN 系列推出的兩款不同導(dǎo)通電阻FCQFN封裝芯片，不僅為客戶設(shè)計選型提供更多參考，且有力推進(jìn)了氮化鎵在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用。

基于大規(guī)模8英寸硅基氮化鎵技術(shù)的研發(fā)、制造與迭代，英諾賽科的產(chǎn)品質(zhì)量和成本優(yōu)勢均已在行業(yè)中得到體現(xiàn)。消費(fèi)電子是氮化鎵規(guī)模化應(yīng)用的第一站，工業(yè)領(lǐng)域雖然滲透較低，但其需求也在逐步攀升，英諾賽科期待與合作伙伴共同推進(jìn)更多領(lǐng)域的應(yīng)用，構(gòu)建氮化鎵生態(tài)。