消費(fèi)電子僅是GaN規(guī)?；瘧?yīng)用的第一站，近年來(lái)，工業(yè)領(lǐng)域?qū)aN的需求也在逐步攀升。根據(jù)AKCP機(jī)構(gòu)測(cè)算，2023年網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右，成為了“碳中和”最難啃的骨頭。其中，數(shù)據(jù)的需求將大幅度推高數(shù)據(jù)中心的建設(shè)速度，2023年，數(shù)據(jù)中心的能耗將占全球總用電量的8%左右。

因此，更高效率、更高功率密度的解決方案成為數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)的迫切需求，而高頻高效的氮化鎵材料在服務(wù)器電源應(yīng)用中顯然具備絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。

據(jù)充電頭網(wǎng)獲悉，英諾賽科在多個(gè)展會(huì)上推出的數(shù)據(jù)中心全鏈路解決方案中，就包含了 2KW 12V PSU 服務(wù)器電源方案。

英諾賽科 2KW PSU 鈦金級(jí)方案

該方案完美符合 80 Plus 鈦金級(jí)能效，峰值效率高達(dá)96.5%，目標(biāo)應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心電源、通信電源和 LED 照明設(shè)備電源等能耗較大的系統(tǒng)，是降耗增效的關(guān)鍵。

主要參數(shù)

尺寸：185mm x 65mm x 36mm（1U standard size）

效率：96.5%@230 Vac（80 Plus 鈦金級(jí)能效）

功率密度：76W/in^3

InnoGaN：INN650TA070AH *2、INN650TA030AH *2、INN650D080BS *4

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

英諾賽科 2KW PSU 方案采用圖騰柱無(wú)橋 PFC+LLC 結(jié)構(gòu)，前端為 AC-DC 無(wú)橋圖騰柱 PFC，后端為 DC-DC 隔離全橋 LLC 轉(zhuǎn)換器。

效率數(shù)據(jù)

通過(guò)效率測(cè)試可以看出，在輸入電壓 230Vac/264Vac 的條件下，英諾賽科 2KW PSU 方案的最高效率均達(dá)到 96.5%，能輕松滿足 80 Plus 鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，為數(shù)據(jù)中心提供高效供電解決方案。

器件性能

2KW PSU 方案采用 InnoGaN 650V 氮化鎵芯片實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換，其中，PFC 慢橋臂采用2顆INN650TA030AH（650V/30mΩ/Toll封裝），PFC 快橋臂采用2顆INN650TA070AH（650V/70mΩ/Toll封裝），LLC 橋臂采用4顆INN650D080BS（650V/80mΩ/DFN8*8封裝）。

與 Si MOS 相比，InnoGaN 具備低 Qg，低Co(tr)，無(wú)反向恢復(fù)損耗 Qrr 等特性。其中，InnoGaN 的 Qg 為同等 Ron 的 Si MOS 的1/10，低 Qg 意味著更快的開(kāi)關(guān)速度，可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗；無(wú)反向恢復(fù)電荷 Qrr，這一特性使 InnoGaN 成為 CCM 圖騰柱無(wú)橋 PFC 的理想選擇。

在 LLC 軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，最小死區(qū)時(shí)間 Tdeadmin 正比于 Co(tr)*fsw*Lm，InnoGaN 的 Co(tr) 為同等 Ron 的 Si MOS 的1/8，更小的 Co(tr)，意味著系統(tǒng)采用更小死區(qū)時(shí)間設(shè)計(jì)的同時(shí)，可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率和更小的勵(lì)磁電流設(shè)計(jì)，從而提升 LLC 的功率密度和系統(tǒng)效率。

方案優(yōu)勢(shì)

高效率：在230Vac Vin下效率高達(dá)96.5%，符合 80Plus 鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)

高功率密度：76W/in3

1U標(biāo)準(zhǔn)尺寸：185mmx 65mmx 36mm（PCBA）

應(yīng)用領(lǐng)域

英諾賽科2KW 12V PSU 方案不僅能夠為數(shù)據(jù)中心鏈路降耗增效，在通信電源、LED 照明等應(yīng)用中同樣能夠體現(xiàn)小體積、高效率的優(yōu)勢(shì)。

英諾賽科早已在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域進(jìn)行產(chǎn)品布局，并在多場(chǎng)展會(huì)與研討會(huì)上發(fā)布了數(shù)據(jù)中心全鏈路（從前端PSU電源到主板DC/DC模塊，以及芯片的直接供電）解決方案。隨著頭部企業(yè)的引導(dǎo)和市場(chǎng)應(yīng)用的深入，氮化鎵的優(yōu)越性能逐漸顯現(xiàn)，將有望成為行業(yè)“標(biāo)準(zhǔn)”，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源的技術(shù)迭代。

文章來(lái)源：英諾賽科