10分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)100%充電,下一代氮化鎵技術(shù)助力SUPERVOOC樹立滿級(jí)秒充里程碑
美國(guó)加利福尼亞州托倫斯,2023年4月3日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司 — 納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布其下一代GaNFast?技術(shù)已獲近期發(fā)布的realme GT3(國(guó)內(nèi)為realme GT Neo5)隨機(jī)標(biāo)配的240W超快充充電器采用。

realme GT3發(fā)布于今年世界移動(dòng)大會(huì)(MWC),作為新一代的安卓陣營(yíng)旗艦手機(jī),其配備了世界上第一款商用240W移動(dòng)超快充。搭載驍龍 8+ 和超幀獨(dú)顯芯片 Plus 旗艦雙芯,該手機(jī)正面搭配一塊 6.74 英寸支持144Hz刷新率的 AMOLED 柔性直屏,背部創(chuàng)新性地加入了“覺醒光環(huán)系統(tǒng)”,25色RGB潮玩交互系統(tǒng),個(gè)性玩法隨心掌控。
獲TüV萊茵安全認(rèn)證,這款realme GT3標(biāo)配SUPERVOOC的快速充電器基于兩顆納微NV6138氮化鎵功率芯片打造而來,分別用于CRM PFC和HFQR反激拓?fù)渲小T摮潆娖鞒叽鐑H57 x 58 x 30 mm (99 cc),重量為173g,功率密度達(dá)到了業(yè)界領(lǐng)先的2.42 W/cc。使用該充電器為GT3的4600mAh電池充電30秒,就能通話兩小時(shí),僅需4分鐘左右就能充至50%,完全充電可在9分30秒內(nèi)完成。



@MWC發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)
每顆GaNFast?氮化鎵功率芯片將一顆高性能的GaN FET與GaN門極驅(qū)動(dòng)集成在一起,實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻及高效運(yùn)行能力。升級(jí)后的GaNSense?技術(shù)更是帶來了實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確的電壓、電流感測(cè)及智能的溫度控制。無損的電流檢測(cè)功能去除了外部的電流檢測(cè)電阻和熱點(diǎn),極大地提升了系統(tǒng)效率。
“在USB Type C的協(xié)議支持范圍內(nèi),我們憑借世界上最強(qiáng)大的智能手機(jī)充電方案,讓GT3徹底消除了消費(fèi)者的續(xù)航焦慮,而這一切的關(guān)鍵,是納微半導(dǎo)體搭載了GaNSense?技術(shù)的GaNFast?氮化鎵功率芯片?!?/p>
——realme副總裁及全球營(yíng)銷總裁徐起
“納微半導(dǎo)體為realme GT3的全球發(fā)布送上誠(chéng)摯的慶賀,這無疑是超快充史上的一大里程碑。我們Electrify Our World?的使命不僅一次次地幫助客戶創(chuàng)下一個(gè)又一個(gè)的快充記錄,同時(shí)不斷為消費(fèi)者帶來更便捷的使用體驗(yàn)。”
——納微半導(dǎo)體的全球高級(jí)銷售副總裁
David Carroll
關(guān)于realme
realme是一家專注于提供優(yōu)質(zhì)智能手機(jī)和AIoT產(chǎn)品的科技潮牌。秉承創(chuàng)新基因,realme在產(chǎn)品性能、設(shè)計(jì)、品質(zhì)和服務(wù)方面不斷超越自我,致力讓全球年輕人以合理的價(jià)格購(gòu)買到兼具越級(jí)性能和潮玩設(shè)計(jì)的智能產(chǎn)品。
2018年由李炳忠創(chuàng)立的realme,秉持“敢越級(jí)”品牌理念,僅用3年在30個(gè)市場(chǎng)中整體銷量位列TOP5。截至目前,realme 已進(jìn)入中國(guó)、東南亞、南亞、歐洲、俄羅斯、澳大利亞、中東、拉美和非洲等全球 61 個(gè)市場(chǎng),全球用戶量超1.4億。更多信息,請(qǐng)瀏覽:www.realme.com
關(guān)于納微半導(dǎo)體
納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)成立于2014年,是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司。GaNFast?氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起,為市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC?碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。納微半導(dǎo)體擁有超過185項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專利,其中,氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過7500萬顆,碳化硅功率器件發(fā)貨超900萬顆。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾,也是全球首家獲得CarbonNeutral?認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
納微半導(dǎo)體、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及納微標(biāo)識(shí)是Navitas Semiconductor 及其子公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。所有其他品牌、產(chǎn)品名稱和標(biāo)志都是或可能是各自所有者用于標(biāo)識(shí)產(chǎn)品或服務(wù)的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。
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