隨著 AI 算力迎來爆發式增長，AI 數據中心對供電電源提出超高功率密度、超高效率、高可靠性的嚴苛要求，如何匹配算力巨獸的電力需求，已然成為電源行業面臨的核心課題。

在此行業背景下，安森美推出多款適配 AI 數據中心的 PSU 參考設計，以自研器件技術與成熟方案，引領數據中心電源技術迭代升級。

在高功率旗艦方案上，安森美重磅推出12kW EU ORV3 PSU 參考設計，整機峰值效率可達 98%，核心搭載安森美全套 CJFET MOS 管解決方案，憑借器件先天優勢打破傳統碳化硅 MOS 應用局限。

相較于常規碳化硅 MOS，CJFET 器件最大亮點在于極低的單位面積導通電阻，僅需少量器件即可承載大功率輸出，大幅提升功率密度。

硬件架構層面，12kW PSU 采用行業主流三相交錯圖騰柱 PFC + 三相 LC + 同步整流經典拓撲，同時增設背 Boost 電路滿足設備 hold-up 延時需求。

方案中核心關鍵器件均全覆蓋安森美 CGFET 產品：PFC 慢管僅采用兩顆 5 毫歐拓封裝 CGFET MOS 管，便可承載 12kW 大功率輸出；背 Boost 電路為實現 12kW 工況下 20 毫秒保持時間，也僅使用兩顆 8 毫歐 CGFET 器件，極大節省設備內部布局空間。

LC 諧振環節搭配 6 顆 8 毫歐拓封裝 CGFET，支持高頻工作模式，完美適配高頻化電源設計趨勢。在低壓同步整流部分，安森美選用自研80V、5×6 封裝、1.4 毫歐雙面散熱 MOS 管。

業內同規格低壓器件中，雙面散熱封裝設計十分罕見，針對性解決了高功率電源散熱痛點，為數據中心電源長期穩定運行筑牢散熱保障，也是安森美為適配數據中心高效率、高功率密度應用專門定制的產品方案。

除 12kW 大功率方案外，安森美還推出3kW 雙版本參考設計，分別為 CJFET 版本與碳化硅版本。兩款方案硬件板型、功率規格、運行性能基本一致，推出雙版本的核心考量，是為解決行業客戶產品升級的實際痛點。

傳統硅 MOS 升級至碳化硅方案時，往往需要大幅改動驅動電路、調整驅動電壓，設計遷移門檻高；而安森美 CJFET 產品可直接兼容替代硅 MOS，無需大幅改動驅動架構，設計遷移便捷性大幅提升。同時雙版本實物對比，也直觀驗證了 CJFET 器件性能可媲美碳化硅器件，為客戶選型提供高性價比、易落地的新選擇。

從行業趨勢看，AI 數據中心 PSU 正快速向大功率、高電壓升級，現已從早期一兩千瓦迭代至主流 4.2-5.5kW，8-12kW 機型即將普及，HVDC 更是邁向 18-30kW 級別，輸出電壓集中向 400/800V 靠攏。長遠來看，數據中心供電將走向電網到負載端到端全鏈路方案，未來可省去工頻變壓器，由 10kV 中壓電網直接輸出 800V 直流電，精簡鏈路、降低損耗，成為下一代數據中心基建的主流方向。

整體而言，AI 算力浪潮倒逼電源技術邁向性能極限，安森美憑借自研 CJFET、CGFET 等核心器件，搭配 12kW、3kW 全系列成熟 PSU 參考設計，不僅解決了當下數據中心高功率、高效率、易設計的剛需，更精準預判并契合了行業端到端供電的未來趨勢，為電源企業、數據中心廠商提供了可落地、可迭代的完整供電解決方案。