隨著生成式 AI 與大模型算力快速增長，數據中心與服務器電源正迎來高功率、高效率、高密度升級浪潮。英飛凌科技憑借工業級 CoolGaN™氮化鎵技術，推出覆蓋低壓至高壓、分立器件到系統級的完整解決方案，可廣泛應用于 AI 服務器、數據中心電源、BBU 電池備份單元、IBC 中間總線轉換器等場景，以超高速開關、零反向恢復、高功率密度等優勢，破解 AI 算力供電瓶頸，推動數據中心邁向低碳高效。

面對單 GPU 功耗接近 2000W、機架功率突破 300kW 的嚴苛需求，傳統硅基器件已難以兼顧效率、體積與可靠性。英飛凌 CoolGaN™氮化鎵擊穿場強達硅材料 10 倍，具備零反向恢復電荷、低柵電荷等特性，可實現功率損耗降低 50%、功率密度提升 3 倍以上，完美適配 800V 高壓架構與高密度電源設計。

英飛凌推出 CoolGaN™ G3/G5 全系列器件，覆蓋 100V–700V 耐壓，通過 JEDEC 工業標準認證。

其中 G3 低壓系列面向 48V IBC、同步整流等場景，G5 高壓系列適配圖騰柱 PFC、高頻 LLC 等高功率拓撲，可滿足 AI 服務器 AC-DC 電源等高要求應用。依托 8 英寸晶圓量產與多樣化封裝，產品一致性與散熱表現優異，為電源設計提供高度靈活選擇。

在系統方案層面，英飛凌通過 CoolGaN™與 CoolSiC™、CoolMOS™協同，打造 12kW 高功率密度 AI 服務器電源參考設計，整體效率與功率密度大幅超越傳統方案，支持服務器電源向更高功率演進。針對 800V 高壓 BBU 場景，其 CoolGaN™雙向開關（BDS）可實現單顆雙向阻斷，顯著優化體積、損耗與寄生參數，保障算力基礎設施穩定供電。

【工程師福利：英飛凌 CoolGaN™氮化鎵芯片免費領樣】

在 2026 世界 AI 服務器電源大會期間，英飛凌正式開啟CoolGaN™氮化鎵芯片免費領樣活動。本次開放 10 款通過 JEDEC 認證的主力型號，覆蓋 100V–700V 全耐壓區間，工程師可通過線上及原廠渠道快速申領樣品，同步獲得全套技術資料與原廠技術支持，降低研發驗證門檻，加速 GaN 在 AI 算力與服務器電源領域的規模落地。