近日，英諾賽科推出INNDAD4K2A1 4.2kW PSU演示板，基于圖騰柱PFC+LLC拓撲打造全GaN服務器電源參考設計，在效率、功率密度與工程化落地層面交出了一份頗具看點的答卷。

  

該方案面向AI數據中心、通信電源及大功率LED供電等高密度應用場景，為高功率電源的小型化、高效化升級提供了新的實現路徑。

方案采用前端無橋兩相交錯圖騰柱PFC，搭配后端全橋LLC諧振變換器拓撲，在230Vac輸入條件下，峰值效率可達97%（不含風扇損耗），輸出規格為48V/87A，最大輸出功率達到4200W。與此同時，PCBA尺寸僅185mm×69mm×37mm，功率密度高達130W/in³，在高功率服務器電源方案中表現亮眼。

該方案借助全GaN器件進一步壓縮體積并提升轉換效率。相較傳統硅基MOSFET，GaN器件具備更低柵極電荷、更優輸出電容特性以及無反向恢復電荷等優勢，更適合圖騰柱PFC和LLC這類高頻高效拓撲，有助于降低開關損耗、驅動損耗與整機熱耗。

具體器件配置上，采用INN650TA030CS、INN650TA050AH和INN150EQ032A三款GaN器件，分別用于PFC慢橋臂、PFC快橋臂以及LLC同步整流等關鍵環節，針對不同功率級進行優化。此外，方案還具備輸入過流保護、輸出短路保護和輸出過壓保護功能，兼顧性能與可靠性。