前言

在充電頭網舉辦的2026（春季）亞洲充電大會上，萬國半導體（AOS）帶來了《AOS全場景高性能電源管理解決方案》主題分享。

整場演講圍繞當下電源行業最受關注的兩大方向展開，一條是持續升級的PD 3.0/PD 3.1快充應用，另一條則是快速升溫的AI服務器與數據中心電源架構。

結合高壓MOSFET、中低壓MOSFET、SiC、GaN以及相關驅動與控制產品，AOS展示了其從消費類快充到高功率AI電源的完整器件布局思路。

從快充到AI，電源器件競爭正走向全場景覆蓋

AOS 強調以更完整的產品矩陣參與不同電源系統設計，其產品覆蓋高壓Super Junction MOSFET、中低壓MOSFET、Active Bridge控制器、SR驅動器以及SiC、GaN等寬禁帶器件，可面向筆記本適配器、臺式機/工作站、游戲主機、服務器、光儲以及DCDC Brick模塊等應用提供支持。

過去市場更關注單顆MOS管的導通電阻、封裝和價格，而隨著功率密度、效率、熱設計和可靠性要求不斷提高，廠商能否同時覆蓋前級PFC、主功率級、同步整流以及后級供電部分，正在成為更重要的競爭點。

AI電源加速演進，器件布局進一步前移

在AI電源部分，AOS重點介紹了從傳統服務器PSU到未來HVDC數據中心供電架構的器件布局。

其給出的方案中，既包括面向15kW以下服務器電源的圖騰柱PFC、LLC、SSR、Oring等位置的器件配置，也包括面向HVDC Power Sidecar和HVDC IT Rack Solutions的整體架構思路。

在AI電源架構中，Vienna PFC、LLC一次側、LLC二次側以及48V側多相Buck/開關電容等關鍵環節，都已經對應布局了不同電壓等級的器件。

例如前級可覆蓋1200V/750V SiC以及650V/700V GaN，后級則涵蓋100V HotSwap FET、100V GaN FET、80V至15V的中低壓MOSFET以及48V多相Buck控制器等。

這說明AI電源對器件廠商的要求，已經不只是提供某一顆主開關管，而是要理解整套服務器供電鏈路，并針對不同拓撲、不同電壓平臺準備相應產品。

尤其是在服務器電源持續向高功率、高密度升級的背景下，誰能提供更完整、更貼近系統應用的器件組合，誰就更容易進入主流平臺設計。

PD 3.1高功率快充，開始更加重視集成與熱設計

在PD快充部分，AOS將重點放在了PD 3.0/3.1應用中的功率器件配置上。隨著PD 3.1更多應用到PC、工作站以及高性能終端中，Active Bridge加AHB正成為更主流的拓撲方案。

圍繞這類方案，AOS從PFC側到同步整流側都提供了相應器件，并且在高壓側準備了多種貼片化高壓MOSFET和GaN產品。

相比單純擴充料號，更值得關注的是其在Buck-Boost級上的思路變化。傳統Buck-Boost方案往往使用分立上下管完成設計，器件數量較多，占板面積和溫升壓力也更明顯。

AOS則展示了將上下管集成到單一封裝中的Co-package方案，希望以更少器件數量完成同樣功能，在縮小PCB面積的同時改善熱表現。

以PD 3.1 140W方案為例，AOS展示了AONZ66412雙FET方案。在28Vin、9Vo、2.2uH、800kHz、9A的測試條件下，這套方案可將原本4顆FET的設計簡化為2顆，同時溫升表現改善約7%到8%。

從效率曲線來看，在高負載區其表現也優于單FET方案，說明雙管集成不僅有助于簡化布局，還能在效率與熱設計之間取得更好的平衡。

對于當前高功率快充產品來說，這一點意義不小。因為當功率繼續向140W甚至更高延伸時，整機設計難點已經不只是能不能做出來，而是要在有限體積內同時解決效率、發熱、EMI和可靠性問題。Co-package這類方案，本質上正是在為高密度快充適配器爭取更多設計余量。

新一代Super Junction平臺，重點不只在低阻值

除了PD快充，AOS在演講中還重點介紹了其新一代Super Junction平臺。AOS較早將12英寸工藝引入Super Junction MOSFET，并在此基礎上繼續推出新一代αMOS E和αMOS E2系列。

其中，αMOS E更偏向消費類和家電類應用，αMOS E2則更多面向工業、服務器電源、光伏等對性能和可靠性要求更高的場景。

這代平臺的一個關鍵變化，是不再只強調更低導通電阻，而是同時突出高功率密度和高可靠性。αMOS E2相比上一代產品在單位面積導通電阻指標上提升40%，FOM也提升18%。同時，在短路耐受、體二極管魯棒性以及高溫工況下的表現上也更為優異。

無論是AI服務器電源、數據中心電源，還是光伏、工業等高功率應用，器件面對的早已不是理想實驗室環境，而是長時間高溫、高壓、大電流和復雜瞬態沖擊。相比單純把導通電阻繼續壓低，器件在短路、雪崩、反向恢復以及高溫下是否依舊穩定，往往更影響整機平臺能否真正量產落地。

從器件參數競爭，走向平臺能力競爭

從PD快充到AI電源，功率半導體廠商的競爭方式正在發生變化。消費電子側，市場需要更高集成度、更好熱表現的器件方案，以支撐PD 3.1高功率化趨勢；服務器和AI側，市場則需要能同時覆蓋PFC、LLC、同步整流、HotSwap、48V多相供電等多個環節的完整器件矩陣。

換句話說，未來比拼的不再只是單顆器件參數，而是廠商對系統架構的理解能力、平臺化供貨能力，以及能否針對不同應用場景給出真正可落地的組合方案。

充電頭網總結

AOS此次分享的重點在于較為完整地展示了其從消費類PD快充到AI服務器電源的器件布局邏輯。一端是圍繞PD 3.0/3.1高功率快充持續推進雙FET集成和高密度設計，另一端則是圍繞服務器、HVDC和AI電源持續補齊SiC、GaN以及中低壓MOSFET產品拼圖。

對于當下電源行業而言，這種布局也很有代表性。隨著應用不斷向更高功率、更高效率和更高可靠性演進，器件廠商的價值正從提供單顆元件轉向支撐整套系統設計。誰能更早建立這種全場景、平臺化能力，誰就更有機會在下一輪電源技術升級中占據更重要的位置。