充電頭網(wǎng)獲悉，英飛凌近期推出了三款共源極配置的62mmC-Series半橋碳化硅模塊，分別為FF1MR12KM1H、FF3MR12KM1H與FF5MR20KM1H。該系列產(chǎn)品具備高電流密度和低開關(guān)損耗等特性，為電動車直流充電、DC/DC變換器及儲能系統(tǒng)提供了底層支持。

其中，F(xiàn)F1MR12KM1H與FF3MR12KM1H兩款模塊專為1200V電壓平臺設(shè)計。FF1MR12KM1H的植入漏極電流為560A，F(xiàn)F3MR12KM1H為280A。在實際應(yīng)用中，兩款模塊契合當前主流的800V直流快充樁，可作為內(nèi)部高頻整流或DC/DC變換級的關(guān)鍵器件，借助碳化硅的低損耗優(yōu)勢大幅提升充電模塊的功率密度。

英飛凌同步推出了具備耐壓更高的FF5MR20KM1H模塊。其漏源極電壓高達2000V，植入漏極電流為200A。該產(chǎn)品重點面向DC/DC變換器與高頻開關(guān)應(yīng)用。在1500V級的下一代超充或兆瓦級商用汽車快充架構(gòu)中，2000V器件允許工程師采用更精簡、可靠的兩電平拓撲，直接突破了傳統(tǒng)1200V器件需復(fù)雜串聯(lián)的工程瓶頸。

工業(yè)級高可靠性此次發(fā)布的三款模塊均采用成熟的62mm封裝，具備4kV交流1分鐘絕緣能力。產(chǎn)品根據(jù)IEC60747、60749和60068標準的相關(guān)測試，完全符合工業(yè)應(yīng)用的要求，為建設(shè)高效的大功率充電基礎(chǔ)設(shè)施提供了堅實的基礎(chǔ)。

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