充電頭網從行業獲悉，2026年3月4日，半導體巨頭英飛凌正式發布全新CoolGaN™ Drive HB 600V G5系列，進一步擴充旗下GaN版圖。
本次上新的四款新產品采用半橋配置（分別為IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M），其將雙600V GaN開關、高低側柵極驅動器及自舉二極管等高度集成。 該方案主打高頻高效，傳播延遲僅98ns且失配極小。
該器件對一線研發更為友好，其兼容標準邏輯電平PWM輸入，僅需單12V電源即可驅動。配合6×8 mm² TFLGA-27裸露焊盤封裝，其散熱性能表現優異，在諸多緊湊場景下甚至能實現無散熱片設計。
對于諸多源頭工廠和研發團隊而言，GaN的超高頻特性往往伴隨著棘手的PCB布局與寄生參數挑戰。英飛凌這套高集成方案，直接將最考驗Layout功底的“開關+驅動”部分在單封裝內解決，大幅精簡了外部BOM數量。
該設計從根源上降低了工程師對走線干擾的焦慮，更一舉攻克了空間受限時的散熱難題。這讓廠商能以更低的開發難度與更少的開發周期，將小體積、高效率的電源產品推向市場。
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