充電頭網注意到，羅姆將推出兩款高集成臨界導通模式PFC控制器BM3GF01MUV-LBZ與BM3GF02MUV-LBZ。該芯片內部直接封裝了650V氮化鎵開關管，采用VQFN 8×8封裝。為高功率適配器提供更緊湊的方案。
針對中大功率的ebike充電器以及人形/四足機器人快充等工業應用場景中，該系列芯片提供了導通電阻僅為70mΩ的型號選項，可顯著降低導通損耗，緩解無主動散熱設計充電器的發熱壓力。
該芯片內置了逐周期過流保護、靜態過壓保護等多重安全機制，還允許工程師通過調整RSR引腳的外接電阻來靈活控制GaN管的關斷壓擺率，為電源系統提供了EMI調試的便利。
可見這款內置GaN的PFC控制器憑借高效率、低待機功耗以及完善的保護機制，為下一代高密度電源提供了更高效的前級解決方案。
截至發稿日，羅姆BM3GF01MUV-LBZ與BM3GF02MUV-LBZ兩款芯片在官網仍標注“開發中”狀態。
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