前言

現(xiàn)階段，隨著氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的快速落地，以及MOSFET、IGBT等傳統(tǒng)器件在工藝和封裝上的持續(xù)優(yōu)化，器件性能不斷想效率更高、功率密度更大、可靠性更強(qiáng)方向突破。在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車、新能源、數(shù)據(jù)中心及工業(yè)控制等多應(yīng)用領(lǐng)域，這些技術(shù)創(chuàng)新正在重塑電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)格局。面對(duì)市場(chǎng)需求瞬息萬變，各大廠商紛紛推出新產(chǎn)品以搶占技術(shù)制高點(diǎn)。

本文按品牌英文首字母整理多家企業(yè)的最新新品，為工程師和行業(yè)觀察者提供一份全面、即時(shí)的參考。

AOS萬國(guó)半導(dǎo)體

萬國(guó)半導(dǎo)體針對(duì)Type-C EPR 3.1 240W推出保護(hù)開關(guān)

AOS萬國(guó)近日推出兩款高性能Type-C保護(hù)開關(guān)——AOZ13058DI與AOZ15953DI，旨在將Type-C端口供電能力提升至240W，支持Type-C擴(kuò)展功率范圍（EPR）3.1應(yīng)用。

其中，AOZ13058DI面向48V Type-C灌電流（sink）應(yīng)用，提供過壓、過流、短路、過熱及ESD保護(hù)，并集成可編程軟啟動(dòng)與理想二極管反向電流阻斷功能，可隔離下游組件、防止電流損害。其20mΩ超低導(dǎo)通電阻和雙向瞬態(tài)電壓抑制增強(qiáng)了電源穩(wěn)定性，滿足IEC61000-4-2/4-5安全標(biāo)準(zhǔn)。可編程電流限制功能還可用于EPR 3.1擴(kuò)展塢系統(tǒng)。

AOZ15953DI面向Type-C拉電流（source）應(yīng)用，支持5V輸出3.5A電流，并能承受最高48V電壓。該開關(guān)通過UL 2367及IEC 62368-1認(rèn)證，具備輸入過壓、啟動(dòng)短路、過溫保護(hù)，并可通過ILIMIT引腳設(shè)定電流限制。

這兩款保護(hù)開關(guān)有效防止短路風(fēng)險(xiǎn)，助力高性能筆記本、游戲本、臺(tái)式機(jī)、顯示器、擴(kuò)展塢及其他高功率便攜設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效、安全、可靠的Type-C供電。

Infineon英飛凌

英飛凌擴(kuò)展 CoolSiC 650 V G2 MOSFET 產(chǎn)品陣容，新增 75 mΩ 型號(hào)

英飛凌近日宣布，旗 CoolSiC 650 V G2 MOSFET系列新增75 mΩ型號(hào)，以滿足市場(chǎng)對(duì)高功率密度與緊湊設(shè)計(jì)的需求。新產(chǎn)品覆蓋TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3 和 TO247-4 多種封裝形式，支持頂部冷卻和底部冷卻（兩種散熱方式，賦予設(shè)計(jì)人員更大靈活性。

該系列器件廣泛適用于中高功率 SMPS，覆蓋AI服務(wù)器、可再生能源、電動(dòng)汽車與充電樁、人形機(jī)器人充電、電視及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域。

基于第二代CoolSiC技術(shù)，新品在品質(zhì)因數(shù)、可靠性和易用性方面較前代大幅提升。其中，TOLL與ThinTOLL 8x8 封裝助力實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)并降低制造成本；TOLT封裝則進(jìn)一步豐富英飛凌的TSC產(chǎn)品組合，目前已涵蓋 CoolMOS 8、CoolSiC、CoolGaN 和 Optimos。TSC方案最高可實(shí)現(xiàn)95%散熱效率，并優(yōu)化空間利用率與寄生效應(yīng)。

Innoscience英諾賽科

英諾賽科發(fā)布兩款低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN方案

英諾賽科 發(fā)布兩款低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案：INNDMD48V25A1分立方案與INNDMD48V22A1集成方案。兩者均支持48V~60V輸入、峰值相電流 25A/22A，完美適配1kW級(jí)電機(jī)應(yīng)用，廣泛面向機(jī)器人、無人機(jī)、電動(dòng)工具等場(chǎng)景。分立方案采用6顆INN100EA035A 分立器件與 3 顆 INS2003FQ驅(qū)動(dòng)IC，兼具靈活性；集成方案則基于3顆 ISG3204LA 半橋合封GaN，集成度高、布局更簡(jiǎn)潔。

憑借高效率、低溫升、高頻率、小體積四大優(yōu)勢(shì)，兩款方案全面超越傳統(tǒng)Si器件：損耗可降低至24%–39%，溫度下降23℃以上，高頻性能優(yōu)異并提升功率密度，部分場(chǎng)景甚至可免散熱器。英諾賽科此次新品發(fā)布，為下一代電機(jī)系統(tǒng)提供強(qiáng)勁“動(dòng)力內(nèi)核”，無論是追求極致性能的分立設(shè)計(jì)，還是注重快速開發(fā)的集成方案，都能幫助客戶實(shí)現(xiàn)高性能與差異化競(jìng)爭(zhēng)。

Nexperia安世半導(dǎo)體

Nexperia推出新款高功率應(yīng)用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品

安世半導(dǎo)體近日宣布，為其應(yīng)用專用MOSFET (ASFET) 產(chǎn)品組合再添新成員。新款80?V PSMN1R9-80SSJ和100?V PSMN2R3-100SSJ開關(guān)器件具備增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個(gè)MOSFET的高功率48?V應(yīng)用設(shè)計(jì)，如叉車、電動(dòng)滑板車、代步設(shè)備及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

在高電流并聯(lián)應(yīng)用中，MOSFET導(dǎo)通與關(guān)斷階段電流分配不均易導(dǎo)致局部過熱及器件應(yīng)力過大。為規(guī)避傳統(tǒng)過度設(shè)計(jì)或采購(gòu)篩選器件的成本與復(fù)雜性，新款A(yù)SFET可在單器件電流達(dá)50?A時(shí)，將并聯(lián)器件間電流差值降低50%，VGS(th)參數(shù)差異縮小50%，最大差值僅0.6?V。同時(shí)，其低導(dǎo)通電阻（1.9?mΩ或2.3?mΩ）有助于提升系統(tǒng)能效。

新款A(yù)SFET采用8?mm×8?mm LFPAK88封裝，兼顧耐用性與空間效率，工作溫度范圍為-55℃至+175℃，為高功率電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供可靠支持。

PNJ派恩杰

派恩杰推出Easy 3B 2000V高壓碳化硅模塊

派恩杰Easy 3B碳化硅模塊基于第三代半導(dǎo)體技術(shù)，具備高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高電子飽和速度，在高壓性能、功率密度、散熱效率及系統(tǒng)兼容性上表現(xiàn)均衡。2000V 設(shè)計(jì)特別適合大規(guī)模光伏電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及工業(yè) UPS 與快充樁等高壓、高效率、高可靠性應(yīng)用，有效降低電壓降與能耗，提升發(fā)電與儲(chǔ)能效率。核心優(yōu)勢(shì)包括超高耐壓（VDSS>2000V）、含銅基板和 AMB 陶瓷基板高效散熱，以及對(duì)多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（半橋、全橋、三相橋、三電平及 Boost）的兼容性。

在光伏逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)中，Easy 3B 模塊可提升直流-交流轉(zhuǎn)換效率、降低線纜與開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)高效雙向充放電，延長(zhǎng)電池壽命并確保系統(tǒng)穩(wěn)定。典型落地案例包括 1500V DC 大型光伏電站，通過兩電平拓?fù)渑c雙面散熱設(shè)計(jì)，替代傳統(tǒng)三電平方案，實(shí)現(xiàn)效率提升、成本下降，同時(shí)適應(yīng)高溫高風(fēng)沙環(huán)境；以及 200MWh 構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能電站，通過模塊快速切換響應(yīng)和熱管理創(chuàng)新，提高調(diào)頻速度和系統(tǒng)能效。

在工業(yè) UPS 與快充樁應(yīng)用中，Easy 3B 模塊幫助 UPS 系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)零中斷供電，并適應(yīng)高密度服務(wù)器瞬時(shí)負(fù)載波動(dòng)；在快充樁中通過 LLC 諧振拓?fù)洌瑢?shí)現(xiàn)高效率輸出和戶外環(huán)境適應(yīng)能力。整體來看，派恩杰 2000V 碳化硅模塊平衡性能與成本，為中高壓電力電子系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案，尤其適用于新能源和能源轉(zhuǎn)型相關(guān)領(lǐng)域。更多型號(hào)參數(shù)及 Datasheet 可通過官方網(wǎng)站獲取，以滿足具體應(yīng)用需求。

ROHM羅姆

羅姆推出低VF且低IR的保護(hù)用肖特基勢(shì)壘二極管

羅姆宣布推出創(chuàng)新型保護(hù)用肖特基勢(shì)壘二極管“RBE01VYM6AFH”。該產(chǎn)品在低正向電壓（VF）與低反向電流（IR）之間實(shí)現(xiàn)高維度平衡，為ADAS攝像頭等高像素圖像傳感器應(yīng)用提供可靠的保護(hù)解決方案。隨著攝像頭精度和像素的提升，圖像傳感器在電源關(guān)斷時(shí)可能產(chǎn)生高光生電壓，傳統(tǒng)器件難以兼顧低VF與低IR的保護(hù)要求。ROHM通過重新設(shè)計(jì)器件結(jié)構(gòu)，成功開發(fā)出兼具兩者特性的產(chǎn)品，解決了長(zhǎng)期困擾行業(yè)的技術(shù)難題。

“RBE01VYM6AFH”創(chuàng)新性地將肖特基勢(shì)壘二極管通常用于整流的低VF特性應(yīng)用于保護(hù)用途，同時(shí)保持低IR性能。在極端環(huán)境下（VF：Ta=－40℃，IR：Ta=125℃），仍可實(shí)現(xiàn)VF＜300mV（IF=7.5mA）與IR＜20μA（VR=3V），有效防止高光生電壓對(duì)電路的損壞，并降低熱失控與誤動(dòng)作風(fēng)險(xiǎn)，為高可靠性電子設(shè)計(jì)提供保障。

新產(chǎn)品采用小型扁平引腳SOD-323HE（2.5mm × 1.4mm）封裝，兼顧節(jié)省空間與安裝便利性，可廣泛應(yīng)用于車載攝像頭、工業(yè)設(shè)備和安防系統(tǒng)等狹小空間場(chǎng)景。同時(shí)，“RBE01VYM6AFH”符合車規(guī)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適合下一代高可靠性電子設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行需求。

ROHM推出二合一SiC模塊“DOT-247”

羅姆近期推出二合一SiC模塊“DOT-247”，專為光伏逆變器、UPS及半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該模塊延續(xù)了廣泛使用的TO-247封裝通用性，同時(shí)提供更高設(shè)計(jì)靈活性和功率密度，滿足多電平功率轉(zhuǎn)換電路的需求。

隨著光伏逆變器向高電壓、多電平方向發(fā)展，三電平NPC、三電平T-NPC及五電平ANPC等電路日益普及。傳統(tǒng)SiC模塊在多電平混合拓?fù)洌ò霕?共源）中往往需要定制產(chǎn)品，而DOT-247通過整合半橋與共源兩種拓?fù)錇槎弦荒K，實(shí)現(xiàn)了更小電路尺寸和更高適配靈活性，可輕松應(yīng)對(duì)下一代功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。

DOT-247由兩個(gè)TO-247封裝相連構(gòu)成，可容納更大芯片并優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻。封裝熱阻降低約15%，電感減少約50%，在半橋結(jié)構(gòu)中功率密度提升至2.3倍，同時(shí)體積僅為傳統(tǒng)方案的一半。產(chǎn)品覆蓋750V（SCZ40xxDTx）與1200V（SCZ40xxKTx）兩種耐壓，共8款型號(hào)，可廣泛應(yīng)用于NPC電路、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種配置，幫助系統(tǒng)小型化并減少元器件數(shù)量。

SK時(shí)科電子

時(shí)科推出60V耐壓功率MOS KG100N06AD

時(shí)科推出的SKG100N06AD N溝道增強(qiáng)型MOSFET，以 60V耐壓、100A承載能力、超低導(dǎo)通電阻和PDFN5x6-8L緊湊封裝，成為新一代高效能電源與功率電路的理想選擇。

該器件采用先進(jìn)溝槽工藝，RDS(on)典型值僅2.0mΩ，在低柵壓驅(qū)動(dòng)下依然保持極低損耗，實(shí)現(xiàn)高能效輸出；支持高達(dá)100A電流承載，確保在大功率應(yīng)用中穩(wěn)定可靠；小型封裝便于高密度布局，助力設(shè)備輕薄化；同時(shí)具備優(yōu)良的雪崩耐量和熱特性，兼容邏輯電平驅(qū)動(dòng)，并符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

憑借更優(yōu)性能與小型封裝，SKG100N06AD廣泛適用于電源管理系統(tǒng)、PWM控制與電機(jī)驅(qū)動(dòng)、便攜式電子、儲(chǔ)能與電池管理，以及物聯(lián)網(wǎng)和通信設(shè)備。

TOSHIBA東芝

東芝推出新一代NMOS

東芝今日宣布推出最新100V N溝道功率MOSFET——TPH2R70AR5，采用東芝最新一代工藝U-MOS11-H制造。該產(chǎn)品主要面向開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備應(yīng)用，尤其適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站，今日起正式出貨。

TPH2R70AR5在器件結(jié)構(gòu)上優(yōu)化了U-MOSX-H系列，進(jìn)一步改善了漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）、總柵極電荷（Qg）及其綜合指標(biāo)（RDS(ON)×Qg），相比前代產(chǎn)品RDS(ON)降低約8%、Qg降低37%，綜合性能提升42%。此外，新器件通過應(yīng)用壽命控制技術(shù)優(yōu)化體二極管性能，反向恢復(fù)電荷（Qrr）降低約38%，RDS(ON)×Qrr提升約43%，有效降低導(dǎo)通與開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率和功率密度。

新產(chǎn)品采用SOP Advance(N)封裝，兼容行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)貼裝工藝，并配套提供G0 SPICE模型和高精度G2 SPICE模型，便于快速驗(yàn)證電路功能和精確模擬瞬態(tài)特性。東芝表示，將持續(xù)擴(kuò)展低損耗MOSFET產(chǎn)品線，助力實(shí)現(xiàn)更高效電源和降低設(shè)備功耗。

YJ揚(yáng)杰科技

揚(yáng)杰為PD快充推出N100V MOSFET新品

揚(yáng)杰科技近日發(fā)布最新一系列面向PD電源的N100V MOSFET產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品采用優(yōu)化后的SGT工藝設(shè)計(jì)，具有更低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，有效降低了器件在工作過程中的導(dǎo)通與開關(guān)損耗。同時(shí)，新品在抗雪崩沖擊能力方面得到顯著增強(qiáng)，能夠滿足PD電源中高效、穩(wěn)定運(yùn)行的需求。

在封裝和應(yīng)用層面，N100V MOSFET產(chǎn)品采用PDFN5*6-8L封裝方案，特別適用于PD電源的同步整流場(chǎng)景。產(chǎn)品經(jīng)過針對(duì)電源不同工作狀態(tài)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，顯著提升了EAS能力，從而在保證性能輸出的同時(shí)，進(jìn)一步增強(qiáng)了整體可靠性，為PD電源廠商帶來更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

功率半導(dǎo)體行業(yè)正以前所未有的速度推進(jìn)技術(shù)迭代。從低壓到高壓、從高導(dǎo)阻到低損耗，從分立器件到高集成模塊，每一次創(chuàng)新都在推動(dòng)系統(tǒng)效率和可靠性躍升。面對(duì)市場(chǎng)需求和應(yīng)用場(chǎng)景的瞬息萬變，廠商不斷優(yōu)化性能、改進(jìn)封裝、拓展應(yīng)用，以應(yīng)對(duì)從消費(fèi)電子到數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車及工業(yè)設(shè)備的多樣化挑戰(zhàn)。可以預(yù)見，隨著研發(fā)持續(xù)深入和創(chuàng)新節(jié)奏加快，功率半導(dǎo)體將繼續(xù)引領(lǐng)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)潮流，為全球電子產(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)大動(dòng)力，推動(dòng)行業(yè)穩(wěn)步邁向新高峰。

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