如今，人們對快速充電的需求與日俱增，快充技術的發(fā)展刻不容緩。然而，目前市面上存在著多種快充協(xié)議和技術方案，用戶在實際使用中有時會出現(xiàn)不同品牌充電設備協(xié)議不兼容的情況。這也是不少用戶希望可以改進的方面。

在這種情形下，由中國信息通信研究院、華為、OPPO、vivo、小米及國內手機廠商牽頭發(fā)起，聯(lián)合國內終端整機、充電芯片、儀表儀器、充電器、配件等終端快充產業(yè)鏈各方共同籌建的廣東省終端快充行業(yè)協(xié)會應運而生。

自成立以來，作為全國首家電子消費類快充行業(yè)協(xié)會，廣東省終端快充行業(yè)協(xié)會協(xié)同和整合產業(yè)資源，加速新技術的標準化、產業(yè)化應用和推廣。這對于構建產業(yè)鏈利益共同體，打造終端快充研發(fā)、制造、評測產業(yè)基地，帶動核心電子元器件、高端通用芯片、關鍵基礎材料等領域發(fā)展，努力建設世界級的終端快充創(chuàng)新型產業(yè)集群，具有至關重要的意義。

關于第三代半導體

第三代半導體是一種常溫下導電性介于導體和絕緣體之間的材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。可以實現(xiàn)更好的電子濃度和運動控制 ，更適用于制造高溫、高頻、抗輻射和大功率電子器件，在快充技術領域具有重要的應用價值。其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表材料，技術較為成熟、應用較多的主要是氮化鎵和碳化硅。

目前，國內華為、OPPO、vivo、小米等多家企業(yè)在研制快充類產品時都優(yōu)先選用第三代半導體材料。目的在于盡可能地提升充電效率，推動快速充電常態(tài)化，進而提高用戶的充電體驗感。而隨著新需求的不斷興起和材料本身的強勁優(yōu)勢，第三代半導體的市場份額會逐步提高。與之而來的，第三代半導體在快速充電行業(yè)中所占分量也將日益增加。

氮化鎵（GaN）

第三代半導體材料氮化鎵（GaN）具備通電阻小、損耗低、功率密度大、能量轉化效率高及體積小等優(yōu)勢，實現(xiàn)了設備體積和性能的優(yōu)化，是實現(xiàn)快充突破的關鍵，將成為快充技術升級的重要方向。而對于用戶來說，它能夠帶來的是一種更方便、更舒適的充電體驗。

氮（Nitrogen）化學元素符號為N，原子序數(shù)7。鎵（Gallium）化學元素符號為Ga，原子序數(shù)31，因此將每年的7月31日定為世界氮化鎵日。

碳化硅（SiC）

作為第三代半導體材料，碳化硅（SiC）具有更大的介電擊穿強度、更快的飽和電子漂移速度、更電子飽和速度與極高熱導率等特點，使得其器件適用于高頻高溫的應用場景。因此，當用于半導體器件中時，碳化硅器件擁有高耐壓、低導通電阻、高效率等特性，有助于降低能耗和縮小系統(tǒng)尺寸。這些特性對于快充產品來說是極為重要的，將推動快充技術的發(fā)展提升至更高的境界。

碳（Carbon）化學元素符號為C，原子序數(shù)6。硅（Silicon）化學元素符號為Si，原子序數(shù)14，因此將每年的6月14日定為世界碳化硅日。

已加入?yún)f(xié)會成員

如今，已有七家第三代半導體企業(yè)加入終端快充行業(yè)協(xié)會，相信能這些企業(yè)定能與終端快充行業(yè)協(xié)會協(xié)同合作，共同進步，積極推動快充行業(yè)的進一步發(fā)展，為終端消費者帶來極致的充電體驗。

下面，我們來了解一下這些成員吧。

高級會員

目前已經(jīng)加入?yún)f(xié)會的第三代半導體企業(yè)中，高級會員共兩個，分別是：GaNext鎵未來（珠海鎵未來科技有限公司）、Yuhongjinchip譽鴻錦（江西譽鴻錦材料科技有限公司）。

GaNext鎵未來（珠海鎵未來科技有限公司）

珠海鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來科技”）成立于2020年10月，公司致力于第三代半導體GaN-on-Si器件的技術研究創(chuàng)新和行業(yè)發(fā)展領先。依托高起點、強隊伍等，實現(xiàn)GaN技術的國產化，推動GaN器件技術的世界領先，通過電源系統(tǒng)的創(chuàng)新設計，實現(xiàn)能源的綠色、高效利用。

公司總部位于國家開放創(chuàng)新的最前沿——粵澳深度合作區(qū)的ICC國際商務中心，擁有2000㎡的總部辦公空間，集成了氮化鎵芯片開發(fā)、封裝開發(fā)、芯片測試實驗室、可靠性實驗中心、失效分析、數(shù)據(jù)中心等研發(fā)功能，實現(xiàn)產品端到端的交付。

公司在深圳新一代產業(yè)園設置應用研發(fā)實驗室，具備電源系統(tǒng)仿真、磁設計、系統(tǒng)調試EMI測試等完整的電源系統(tǒng)研發(fā)驗證功能，擁有20余位資深應用工程師，具備30瓦到萬瓦級高功率密度電源解決方案、功率器件損耗分析及系統(tǒng)優(yōu)化能力。

公司所指定的6寸芯片制造工廠合作商，擁有多年氮化鎵生產的技術經(jīng)驗，其目前已實現(xiàn)穩(wěn)定量產， 產品良率達95%，失效率低于20ppm，同時工廠已經(jīng)通過IATF16949的認證，符合車規(guī)器件的生產標準， 為GaN器件在電動汽車的應用奠定基礎。

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Yuhongjinchip譽鴻錦（江西譽鴻錦材料科技有限公司）

江西譽鴻錦材料科技有限公司成立于2021年1月，位于江西省撫州市高新技術產業(yè)園區(qū)，是一家主要從事高品質氮化鎵電子材料和高端光電材料MOCVD外延生長及器件流片、封裝測試、模組的研發(fā)、生產制造的高科技創(chuàng)新型企業(yè)。

主要的產品包括肖特基二極管、HEMT晶體管、UVC-LED、激光器、功率放大器等。這些產品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心及5G通訊領域。公司的關鍵工藝設備、儀器以進口設備為主，已具備4-6英寸兼容的氮化鎵電子材料的外延生產、器件流片及芯片封測能力。

公司現(xiàn)有員工100余人，其中博士15人、碩士9人、本科以上學歷占比70%，技術研發(fā)人員占比83%。公司的團隊成員均為該領域內在國內、國際上具有影響力的專家組成，技術專家團隊主要來自臺灣和日本。

江西譽鴻錦材料科技有限公司將致力于實現(xiàn)氮化鎵電子器件和高端光電器件領域的“中國智造”！

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江西譽鴻錦材料科技有限公司加入終端快充行業(yè)協(xié)會

普通會員

目前已經(jīng)加入?yún)f(xié)會的第三代半導體企業(yè)中，普通會員共五個，分別是：ARKmicro方舟微（成都方舟微電子有限公司）、Ascendsemi安森德（西安安森德半導體有限公司）、BASiC基本（深圳基本半導體有限公司）、Innoscience英諾賽科（英諾賽科（深圳）半導體有限公司）、Tagore泰高（深圳市泰高技術有限公司）。

ARKmicro方舟微（成都方舟微電子有限公司）

ARK成都方舟微電子有限公司（以下簡稱：方舟微），于2008年成立，專業(yè)從事功率半導體器件的研發(fā)、設計、生產與銷售，并提供電源管理、電路保護解決方案，是國內唯一專注耗盡型MOSFET設計的公司。產品大量用于充電器、LED、工業(yè)控制、電動汽車、通信電路、物聯(lián)網(wǎng)等領域，廣受客戶青睞。

方舟微產品包括消費類和工業(yè)類兩條產品線，用于充電器、LED等消費電子產品的DMZ6005E、 DMZ1015E、DMZ1315E、DMZ1521E等系列產品，專為3.1快充定制開發(fā)，為大功率、寬電壓輸出的快充提供PWM IC 、同步整流IC供電并具有電路啟動功能；20V、30V、60V、100V、150V、200V、350V全系列增強型MOSFET高性能對標AOS同類產品，海外生產，品質更高、價格更優(yōu)、供貨更有保證。方舟微目前已與PI、ON、IWATT、立锜、昂寶、康源、華源智信、硅動力等設計公司有深入合作，是華為、榮耀、三星、Google、VIVO、MEIZU、ANKER、RAVPOWER、SONY、LG、TP-LINK等客戶的長期供應商。

方舟微用于工控、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等領域的DMX1072/DMS1072、DMX4022E/DMS4022E、DMZ1511E、DMD4523D等系列產品，一顆器件即能實現(xiàn)安全的瞬態(tài)浪涌抑制、過壓過流保護應用，器件性能完全達到甚至超過國外同類產品。目前與TE、上汽、一汽、南京科遠、正崴精密、中電集團等有廣泛合作。

方舟微產品僅DMZ6005E一顆產品目前已出貨5億只，以高品質、高性能、低成本對標國外同類產品，實現(xiàn)國產替代，被國內外客戶的認可并廣泛采用。

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Ascendsemi安森德（深圳安森德半導體有限公司）

安森德半導體有限公司(以下簡稱“安森德")是一家專注于高性能、高品質模擬集成電路研發(fā)和銷售的半導體公司。

安森德的技術團隊由在歐美頂尖半導體公司工作過的資深專家組成,擁有先進的模擬集成電路設計、工藝、生產、測試及可靠性技術和豐富的質量管理經(jīng)驗。

安森德的通用模擬IC產品性能優(yōu)良、品質卓越,可廣泛應用于智能手機、PAD、數(shù)字電視、DVD、數(shù)碼相機、筆記本電腦、可穿戴式設備、舞臺音響、調音臺設備、各種消費類電子產品以及車載電子、工業(yè)控制、醫(yī)療設備、測試儀表等眾多領域。

未來,安森德將以市場為導向、以創(chuàng)新為驅動、以服務客戶為目標，堅持自主創(chuàng)新，不斷開發(fā)更高性能的模擬集成電路技術,推出在性能、功耗、可靠性等方面具有國際領先水平，在品質、性價比、技術支持等方面具備較強國際競爭力及良好產業(yè)化前景的新一代模擬IC產品，努力成為世界模擬芯片行業(yè)的翹楚。

BASiC基本（深圳基本半導體有限公司）

深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業(yè)領軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、南京、無錫、香港以及日本名古屋設有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團隊，核心成員包括二十余位來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學、德國亞琛工業(yè)大學、瑞典皇家理工學院、瑞士聯(lián)邦理工學院等國內外知名高校及研究機構的博士。

基本半導體掌握領先的碳化硅核心技術，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、封裝測試、驅動應用等產業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，累計獲得兩百余項專利授權，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅動芯片等，性能達到國際先進水平，服務于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導體承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數(shù)十項研發(fā)及產業(yè)化項目，與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發(fā)中心，是國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國科協(xié)產學研融合技術創(chuàng)新服務體系第三代半導體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導體碳化硅功率器件工程技術研究中心，榮獲中國專利優(yōu)秀獎、深圳市專利獎、2020“科創(chuàng)中國”新銳企業(yè)、“中國芯”優(yōu)秀技術創(chuàng)新產品獎、中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽專業(yè)賽一等獎等榮譽。

Innoscience英諾賽科（英諾賽科（深圳）半導體有限公司）

英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產業(yè)鏈模式，建立了全球首條產能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產線。

英諾賽科設計、開發(fā)和制造涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）面向各種應用的高性能、高可靠性的氮化鎵功率器件，重點聚焦消費類電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及新能源與儲能等應用領域。擁有大規(guī)模量產能力、采用8英寸先進的生產工藝，能夠在產能、器件性能、可靠性、工藝穩(wěn)定性及價格合理性上具備顯著的競爭優(yōu)勢。同時也將持續(xù)與眾多客戶和合作伙伴攜手致力于氮化鎵技術相關系統(tǒng)和解決方案的開發(fā)。

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英諾賽科加入終端快充行業(yè)協(xié)會

Tagore泰高（深圳市泰高技術有限公司）

深圳市泰高技術有限公司主要從事基于第三代半導體 硅（Si）基氮化鎵 及 碳化硅（SiC）基氮化鎵技術的集成電路研發(fā)和銷售，所研發(fā)的氮化鎵芯片已經(jīng)被超過 60 家歐美國際大公司及30家國內大公司的采用。

泰高技術的研發(fā)團隊源于德國公司英飛凌, 其芯片設計中心位于美國芝加哥（Chicago），另外在印度設有研發(fā)分部，全球研發(fā)人員有 50 位以上， 其中超過 80% 研發(fā)人員擁有博士學歷。研發(fā)團隊的背景主要在射頻氮化鎵領域深耕超過 10 余年，具有卓越的芯片設計能力，現(xiàn)有產品包括 RF 射頻開關、 射頻高功率放大器、電源功率芯片 和 射頻低噪聲放大器等四大產品系列，全部具有國際領先水平。

“泰高, 讓設計變簡單”是我們理想，實現(xiàn)這個理想得益于他們通過精巧的布局，使得工程師更加便捷設計，為產品更高效、更小、更可靠的全新解決方案帶來更多可能。

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總結

統(tǒng)一快充標準的建立，不僅能提升充電設備的兼容性，為消費者帶來更好的使用體驗，促進行業(yè)綠色低碳發(fā)展。而且將帶動國內快充產業(yè)鏈上下游的整合，形成產業(yè)發(fā)展新生態(tài)，實現(xiàn)中國快充技術在全球標準的引領。

相信未來將會有更多的第三代半導體企業(yè)加入進來，共同推動建立兼容、統(tǒng)一的快充標準。

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文章來源：終端快充行業(yè)協(xié)會