前言

隨著 PD3.1 市場的火熱，越來越多的電源廠商開始布局相關電源產品，工程師在開發大功率PD3.1電源時，可通過采用氮化鎵驅動芯片替代傳統方案，簡化PFC電路設計；不僅如此，氮化鎵驅動合封芯片也能在AHB拓撲等應用中大展身手，應用前景十分廣泛。

近期，成都氮矽科技有限公司推出了兩款合封氮化鎵芯片 DXC0765S2C 和 DXC1065S2C，將 650V 增強型氮化鎵晶體管及其驅動器封裝在一個芯片內部，降低了氮化鎵快充產品開發門檻，豐富了合封氮化鎵電源芯片市場。

氮矽科技合封氮化鎵新品登場

氮矽 DXC0765S2C 是一款集成 650V 增強型氮化鎵晶體管及驅動器的合封氮化鎵芯片，耐壓 650V，導阻 400mΩ，最大漏源極電流 7A，單極正電壓門極驅動電壓 0V~6V，支持3.3V和5V控制信號，開關速度超10MHz，具有零反向恢復損耗。

氮矽 DXC1065S2C 導阻 200mΩ，最大漏源極電流 10A，其余主要參數與 DXC0765S2C 相同；DXC1065S2C 和 DXC0765S2C 可應用在快充電源、LED照明驅動器、PFC電路、LLC轉換器、無線電力傳輸等領域。

氮矽合封氮化鎵產品采用與單GaN管相同的 DFN5x6 封裝，具備很強的通用性，相比傳統分離驅動方案，可節省約40%占板面積；此外，采用合封氮化鎵芯片可有效減少驅動回路走線，降低寄生參數，應用極限頻率更高。

上圖為分離驅動方案與合封驅動方案的驅動振鈴電壓測試圖，在下拉電阻同為0Ω的情況下，實測分離驅動方案的驅動振鈴電壓為1.8V，而合封驅動方案的驅動振鈴電壓僅僅只有0.24V。增強型氮化鎵晶體管的閾值電壓一般為1~2V，如果應用工程師選擇增加下拉電阻的阻值來防止功率管的誤開啟，那么勢必會影響管子的關斷速度，導致應用頻率受到限制。

上圖為分離驅動方案與合封驅動方案的溫升測試圖，由于省去了下拉電阻，所以其驅動損耗也低于分離驅動方案，同樣的應用條件下，合封驅動方案溫度更低，效率更高。

充電頭網總結

氮矽科技推出的兩款合封氮化鎵芯片 DXC0765S2C 和 DXC1065S2C，采用 DFN5x6 封裝，導通電阻分別為 400mΩ 和 200mΩ。通過將 650V 增強型氮化鎵晶體管及其驅動器封裝在一個芯片內部，既能夠提升整體方案的性能，同時也能減少PCB板的占用，縮小尺寸并減少BOM成本。

氮矽科技2019年成立于成都高新區，2020年初推出氮化鎵專用驅動器，填補國內空白，同年底量產多款650V氮化鎵晶體管，包括全球最小650V氮化鎵器件。截止2022年，氮矽科技已量產各種封裝類型的650V/80-400mΩ氮化鎵功率器件，以及80-200V氮化鎵半橋驅動器、超高速，寬范圍輸出的低側氮化鎵驅動器等。

氮矽科技憑借在氮化鎵領域的先發優勢，敢于人先，在氮化鎵器件設計、產品封裝和測試領域先后實現技術突破，使其在功率氮化鎵及其驅動領域具備強大的競爭力。